Коллектив авторов — Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники, краткое содержание
В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании MO CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Cu, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе HfO 2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики). Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся химией твердого тела, микроэлектроникой и технологией материалов электронной техники.
Чтобы оставить свою оценку, войдите или зарегистрируйтесь
📖 О книге «Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники»
Книга «Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники» от Коллектив авторов представлена в каталоге Книгизм. Произведение относится к жанру «Техническая литература». На странице книги вы можете скачать файл fb2 или сразу перейти к онлайн-чтению полной версии без регистрации.
🏷️ Жанры книги
Произведение «Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники» относится к следующим жанровым направлениям каталога Книгизм:
📚 Серия книги
«Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники» входит в серию «Интеграционные проекты СО РАН». Рекомендуется читать серию по порядку: события и герои связаны между книгами.
👥 Похожие авторы в жанре
Если вам понравилась эта книга, обратите внимание на других популярных авторов в жанре «Техническая литература»:
❓ Часто задаваемые вопросы
Можно ли скачать книгу «Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники» бесплатно?
Да, книга доступна для скачивания в формате fb2 без регистрации и без оплаты на сайте Книгизм. Файл сохраняет структуру глав, иллюстрации и метаданные — подходит для FBReader, Cool Reader, AlReader и других читалок на смартфоне или электронной книге.
Можно ли читать книгу «Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники» онлайн без скачивания?
Да, полная версия произведения автора Коллектив авторов доступна для онлайн-чтения прямо в браузере. Откройте страницу книги, нажмите кнопку «Читать» — текст загрузится с пагинацией, настройкой шрифта, темой оформления и закладкой текущей позиции.
К какому жанру относится «Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники»?
Книга относится к жанру «Техническая литература».
📲 Как читать книгу на Книгизм
Книга «Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники» автора Коллектив авторов доступна на Книгизм бесплатно. Вы можете скачать файл fb2 для дальнейшего чтения в любой читалке (FBReader, Cool Reader, AlReader и других) на смартфоне, планшете или электронной книге. Формат fb2 сохраняет структуру глав, иллюстрации, оглавление и метаданные. Альтернатива — онлайн-чтение полной версии в браузере сразу без скачивания и без регистрации.